產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動(dòng)模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達(dá)林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國(guó)BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無(wú)感電容
- 光耦
- 場(chǎng)效應(yīng)模塊
- IR可控硅
新聞詳情
英飛凌igbt產(chǎn)品的工作原理介紹
日期：2025-07-01 19:15
瀏覽次數(shù)：336
摘要：
在英飛凌igbt中，PN結(jié)絞線二極管負(fù)責(zé)支持電流的正向傳導(dǎo)，而MOSFET負(fù)責(zé)控制電流的開關(guān)。以下對(duì)于這些組成部分的工作原理介紹。
了解PN結(jié)節(jié)線二極管的工作原理。PN結(jié)是由N型（富電子）和P型（富空穴）半導(dǎo)體材料在一起形成的。當(dāng)PN結(jié)兩端的電壓為正向電壓時(shí)，電子從N型區(qū)域流向P型區(qū)域，而空穴從P型區(qū)域流向N型區(qū)域。這種現(xiàn)象被稱為正向偏置。在這種情況下，PN結(jié)節(jié)線二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流可以順利通過(guò)。
MOSFET是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理的晶體管。它由一個(gè)源極、漏極和柵極組成。柵極上的電壓可以控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
MOSFET的結(jié)構(gòu)包括一個(gè)絕緣層和柵極。當(dāng)柵極電壓為零時(shí)，絕緣層阻止了電流的流動(dòng)，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，絕緣層變薄，電流可以流經(jīng)MOSFET，使其處于開啟狀態(tài)。通過(guò)控制柵極電壓，我們可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的**控制。
英飛凌IGBT是如何結(jié)合PN結(jié)絞線二極管和MOSFET的特性的。IGBT的結(jié)構(gòu)如同一個(gè)NPN型雙極晶體管，其發(fā)射極和基極之間接入了一個(gè)MOSFET。正向偏置的PN結(jié)節(jié)線二極管負(fù)責(zé)支持高電壓和大電流的傳導(dǎo)，而MOSFET則負(fù)責(zé)控制電流的開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT的高效率控制。
當(dāng)控制信號(hào)施加到IGBT的柵極上時(shí)，柵極與源極之間的電壓會(huì)改變。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，MOSFET通路打開，電流可以流經(jīng)IGBT，使其處于導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，MOSFET通路關(guān)閉，電流無(wú)法通過(guò)IGBT，使其處于截止?fàn)顟B(tài)。通過(guò)調(diào)整柵極電壓的大小和頻率，可以**地控制IGBT的導(dǎo)通和截止。這使得IGBT在高電壓和高功率應(yīng)用中具有優(yōu)良的性能和穩(wěn)定性。
