產品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達林頓）
- 東芝復合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應模塊
- IR可控硅
新聞詳情
igbt模塊結構原理
日期：2025-07-01 23:36
瀏覽次數：544
摘要：
igbt模塊結構原理
動態(tài)特性
igbt模塊動態(tài)特性又稱開關特性，igbt的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。
igbt模塊的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——...
igbt模塊結構原理
動態(tài)特性
動態(tài)特性
igbt模塊動態(tài)特性又稱開關特性，igbt的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。
igbt模塊的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過MOSFET 的電流。
尊敬的客戶：
